过饱和度是结晶过程得以进行的推动力。概括的说，结晶过程主要包括成核和生长两个过程。成核又分为初级成核和二次成核。二次成核又主要分为流体剪应力成核和碰撞磨损成核。对于二次成核，是无法避免的的，只能根据成核机理进行减缓。

      若想制备大颗粒晶体产品，需要避免初级成核，控制二次成核。这是工业结晶工艺开发和设备设计需要考虑的核心问题之一。

       过饱和度大小对成核和生长的定性分析见下图：

控制成核的策略总结如下：

1. 维持稳定的过饱和度，防止结晶器在局部范围内，例如蒸发面、冷却表面、不同浓度的两流股的混合区内，产生过饱和度的波动。（主要成核类型：初级成核）

2. 限制晶体的生长速率，即不以盲目提高过饱和度的方法，达到提高产量的目的。因为过饱和度是晶体成核和生长的驱动力，其影响关系如下图所示：

   

3. 尽可能降低晶体的机械碰撞能量及几率。主要通过工艺参数调整剂设备、尤其是动设备结构的优化来实现，比如控制适宜的晶浆密度、优化搅拌的结构形式和材质等等来减缓二次成核。

4. 对原料溶液进行加热，过滤等预处理，以消除溶液中可能成为晶核的微粒。实现过程稳定可控的目的。若来料细晶失控，也会导致系统中粒度的不稳定。尤其是固液分离后的母液若返回结晶器内，尤其注意母液中的细晶问题。可以考虑将母液先和原料混合，利用原料浓度低将母液中的细晶先进行溶解来实现。

5. 从结晶器中移除过量的微晶。产品可按粒度分级排出，使符合粒度要求的晶粒得以及时排出，而不使其在结晶器内继续参与循环。若采用分级排料方式，则必须就有细晶消除的功能，否则粒数不稳定会导致产品粒度不稳定。将含有过量细晶的母液取出后加热或稀释，使细晶溶解，然后送回结晶器来实现细晶消除。对于蒸发结晶过程，加热器位置有时候就起到了细晶消除的作用。

6. 调节原料的pH值或加入某些具有选择性的添加剂以改变成核速率。

7. 调整晶浆密度，在过饱和度大的位置，提供足够多的晶体表面供晶体生长。这主要通过设备结构的优化及工艺参数的控制来实现。

8. 开车方式：开车阶段，在物料达到饱和点附近，最好加入晶种，避免爆发成核带来的问题。换言之，开车非常忌讳清液开车，由于清液开车，无法避免初级成核问题，导致系统失控，有可能引起后续操作不稳定现象产生。